DEI? 1030的設(shè)計目的是改善單位之間的照明總線監(jiān)測。總線電壓轉(zhuǎn)換成為0-5vdc數(shù)據(jù)信號電平輸出,可用作操縱白熾燈的仿真模擬驅(qū)動器或輸入微處理器實現(xiàn)脈沖寬度調(diào)制。或提供操縱輸入到DEI1090LED驅(qū)動器,用LED仿真模擬白熾燈。
電壓比較器(簡稱為比較器)的功能模塊是相對比較兩個電流電壓的大小(輸出電壓的高電平或低電平用作表明兩個輸入電流電壓的大小關(guān)系)。電壓比較器能夠用在集成化運算放大器的組成中,還能夠用專用型的集成化電壓比較器。TI德州儀器高電壓比較器具備0.9V到36V的高壓比較器,響應(yīng)時間快,性能強。
DATAEL 提供很多數(shù)模轉(zhuǎn)換器產(chǎn)物作為規(guī)范微電路圖 (SMD) 模子,受國防后勤局 (DLA) 監(jiān)視。DATAL 已成為 SMD 提供商跨越三年。DATAEL 的產(chǎn)物通過國防部產(chǎn)物認(rèn)證決策接續(xù)到達劃定的機能、品質(zhì)和可靠性程度。這些 SMD 產(chǎn)物已被證明是滿足行業(yè)非常具搦戰(zhàn)性的使用請求的靠得住辦理計劃。
IR HiRel?為客戶供應(yīng)局限寬泛的包含晶閘管和二極管的電源模塊,電壓局限為 1200 V 至 4400 V,電流為 61 A 至 1070 A。這些模塊接納高可靠壓力觸碰和焊接技術(shù)計劃和組裝它滿足了成本和機能優(yōu)化應(yīng)用的特定請求。
?線路接收器能夠包含:緩沖器,適用于在第一時間段中接收模擬信號并按照所接收的模擬信號向負(fù)載提供輸出數(shù)據(jù)信號,這其中所述緩沖器包含不少于兩個晶體管;耦合電路在所述不少于兩個晶體管的柵極之間的電容元器件,適用于在第一時間段內(nèi)向型所述不少于兩個晶體管的柵極提供DC數(shù)據(jù)信號;及其適用于在第二時間段內(nèi)將電容器元器件耦合電路到直流參考電壓的電源開關(guān)。
Q-Tech?高可靠性空間 TCXO是一種對晶體振蕩器的晶體頻率和溫度特性進行補償以滿足寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定性要求的晶體振蕩器,一般的模擬溫度補償晶體振蕩器采用熱補償網(wǎng)絡(luò),補償后的頻率穩(wěn)定性在10-7≤10-6量級。由于其良好的啟動特性、優(yōu)越的性價比、低功耗、體積小、環(huán)境適應(yīng)性強等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用。
Renesas?儀表放大器(in-amps)和可編程增益儀表放大器(PGIA)中提供了諸多工業(yè)生產(chǎn)、檢測和精確測量、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和醫(yī)療服務(wù)應(yīng)用領(lǐng)域所需要的精密度和高性能。
根據(jù)NVIDIA和AMD宣布的技術(shù)路線圖,GPU將于2018年進入12 nm/7nm工藝。目前,AI、與采礦機相關(guān)的FPGA和ASIC芯片也在使用10~28 nm的先進工藝。國內(nèi)制造商已經(jīng)出現(xiàn)了寒武紀(jì)、深鑒科技、地平線、比特大陸等優(yōu)秀的集成電路設(shè)計制造商以實現(xiàn)突破,而制造主要依靠臺積電和其他先進工藝合同制造商。
MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時,具有更高的帶寬。
DEI?為28VDC航空電子產(chǎn)品設(shè)備儀器和工業(yè)電源系統(tǒng)總線提供電壓浪涌保護器。按照RTCADO160,Z類:異常浪涌電壓(DC)技術(shù)水平,它能夠保障機器設(shè)備免遭電壓浪涌。欠壓鎖定功能模塊確保僅在最低標(biāo)準(zhǔn)安全可靠工作電壓技術(shù)水平下可以使用。
TI德州儀器?低功耗比較器提供了全系列的低功耗比較器產(chǎn)品,根據(jù)使用低功耗比較器能夠提高電池壽命。
DATAEL?提供諸多模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器企業(yè)產(chǎn)品,用作標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定微電路圖(SMD)模型工具,由國防安全物流局(DLA)監(jiān)督。DATAL已成為SMD供應(yīng)商超過三年。DATAEL企業(yè)產(chǎn)品根據(jù)國防部產(chǎn)品質(zhì)量認(rèn)證工程項目繼續(xù)實現(xiàn)規(guī)定的性能指標(biāo)、質(zhì)量和安全可靠性技術(shù)水平。DATAELSMD企業(yè)產(chǎn)品已被證明是滿足行業(yè)內(nèi)最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)應(yīng)用規(guī)定的安全可靠解決方案。
IR HiRel?是世界上第一家碳化硅(SiC)分立電源供應(yīng)商。長期性的市場份額和經(jīng)驗使IR HiRel能夠提供高度安全可靠和行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC性能指標(biāo)。碳化硅和硅在原材料性能指標(biāo)上的差異性限制了實際硅單極子二極管(肖特基二極管)的制造,其導(dǎo)通電阻和漏電流高達100v到150v。在SiC原材料中,肖特基二極管能夠獲取更高的擊穿電壓。IR HiRel的碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合包含600V和650V至1200V肖特基二極管。
?并行接口指的是選用并行傳輸方式數(shù)據(jù)傳輸?shù)臉?biāo)準(zhǔn)接口。從最簡單的并行數(shù)據(jù)存儲器或ASIC芯片,如8255、6820,到更錯綜復(fù)雜的SCSI或IDE并行接口,有幾十種。
Q-Tech? QPL晶體振蕩器是體現(xiàn)晶體或振蕩器能否符合非常性能卓越規(guī)定要求的檢測標(biāo)準(zhǔn)之一。將其運用于國防裝備和軍事產(chǎn)品的零部件,以符合這一標(biāo)準(zhǔn)是必不可少的。
?Renesas?電子電流量檢測放大器集成了外部結(jié)構(gòu)元器件(即增益設(shè)置電阻器)以簡單化設(shè)計構(gòu)思并提供模擬電流電壓輸入輸出。
通信基站對國外芯片的依賴程度很高,其中大部分是美國芯片公司。目前,基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元(BBU)和射頻遙控單元(RRU)組成。通常,一個BBU對應(yīng)多個RRU。相比之下,RRU芯片國產(chǎn)化程度低,對外依存度高,主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場景,通常是GaAs或Gan材料,而中國大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。
MICRON? DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
DEI產(chǎn)品能夠提供滿足DO160標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的浪涌保護系統(tǒng)零部件。DEI的所有的ARINC429組件和大部分離散到數(shù)字轉(zhuǎn)換器都具備此保護功能模塊。
比較器是一款較為常見的電子電路,如高速比較器。TI德州儀器高速比較器指的是比較器的響應(yīng)速度和處理速度,高速比較速度能夠?qū)崿F(xiàn)納秒級。TI德州儀器高速比較器用作比較兩個輸入數(shù)據(jù)信息,輸出是二進制信號數(shù)據(jù)信息。
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