- 產(chǎn)品詳情
碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是電源應(yīng)用的創(chuàng)新選擇，可提高系統(tǒng)效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作溫度范圍。Solitron 將最新的先進(jìn) SiC 技術(shù)與獨(dú)特的輕質(zhì)封裝相結(jié)合，推出了一系列新的高密度半橋和全橋模塊。模塊中非常低的雜散電感對(duì)于SiC MOSFET的全速開(kāi)關(guān)至關(guān)重要。高開(kāi)關(guān)頻率轉(zhuǎn)化為更小的磁性元件，從而顯著減小了系統(tǒng)重量和尺寸。Solitron使用先進(jìn)的技術(shù)和材料，包括AlN襯底，增強(qiáng)了碳化硅MOSFET的高導(dǎo)熱性。這樣可以提高系統(tǒng)導(dǎo)熱性、降低開(kāi)關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性。
Solitron 提供各種標(biāo)準(zhǔn) SiC 功率模塊，包括半橋和全橋配置以及 PowerMOD 系列專(zhuān)用功率模塊。借助 PowerMOD 系列，用戶(hù)可以從各種電路配置和封裝選項(xiàng)中進(jìn)行選擇，以針對(duì)特定機(jī)會(huì)優(yōu)化定制器件。
碳化硅功率模塊是開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電池充電器、驅(qū)動(dòng)和電機(jī)控制應(yīng)用的理想選擇。
| Device Type | Type Number | Voltage | Continuous Current | RDS(on) | Temp. Range | Pinout | Recovery Diodes | Temperature Sensor |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Half Bridge | SD11902 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | Yes |
| Half Bridge | SD11903 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 A | No | Yes |
| Half Bridge | SD11904 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 A | Yes | Yes |
| Half Bridge | SD11905 | 1200V | 50A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
| Half Bridge | SD11906 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | Yes |
| Half Bridge | SD11956 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | Yes | No |
| Half Bridge | SD11907 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
| Half Bridge | SD11957 | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | No |
| Half Bridge | SD11908 | 650V | 50A | 15mΩ | -40°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
| Half Bridge | SD11910 | 1200V | 120A | 8mΩ | -55°C to 175°C | 3x6 B | No | Yes |
| Dual MOSFET | SD11911 | 1200V | 120A | 8.6mΩ | -55°C to 175°C | 4x6 | No | Yes |
| Dual MOSFET | SD11912 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 4x6 | No | Yes |
| Full Bridge | SD11915 * | 1200V | 40A | 32mΩ | -55°C to 175°C | 4x10 | No | Yes |
| Full Bridge | SD11916 * | 1200V | 50A | 8mΩ | -55°C to 175°C | 4x10 | No | Yes |
| Half Bridge | SD11918 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 6x6 | No | Yes |
| Half Bridge | SD11919 * | 1200V | 105A | 13mΩ | -55°C to 175°C | 6x6 SMD | No | Yes |
特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)
?優(yōu)異的系統(tǒng)效率，由于低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損失的sic
?卓越的功率轉(zhuǎn)換效率在高頻操作
?高速開(kāi)關(guān)w /低電容
?減少寄生電感和電容
?真正的開(kāi)爾文源連接穩(wěn)定柵極驅(qū)動(dòng)
?隔離的背面直接安裝到散熱器
?鋁基板和銅基板的導(dǎo)熱性
?高結(jié)溫操作
?低結(jié)殼熱阻
?降低熱需求和系統(tǒng)成本
?集成NTC溫度傳感器
?堅(jiān)固的安裝由于集成安裝襯套
?低調(diào)緊湊的包裝
