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  MICRON DDR4 內存 2021-06-04 17:07:48

  MICRON? DDR4內存是全新一代的存儲空間標準規范。2011年1月4日，三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲空間，MICRON DDR4和DDR3有三大區別：16位預取機制（DDR3為8位），在同樣內核頻率下，理論研究速度是DDR3的兩倍；傳輸數據標準規范更加安全可靠，數據安全可靠性進一步提升，工作中電壓降為1.2V，更環保節能。

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  Linear Systems 3N170/3N171單N溝道增強型MOSFET 2024-08-21 09:18:47

  Linear Systems的3N170和3N171是單N溝道增強型MOSFET，適用于快速切換和低漏源電阻應用。它們具有低電阻（r_ds(on) ≤ 200Ω）、快速開關時間（t_d(on) ≤ 3.0ns），并可在-55至+135°C的結溫下工作。這些器件的連續功率耗散為300mW，最大電流為30mA，最大電壓為±35V（漏到柵和柵到源）和25V（漏到源）。